Micron、最先端DDR4メモリの生産開始。マナサス工場でウェハ供給量を4倍に
米Micronは5月22日(現地時間)、米国バージニア州マナサスのDRAM製造拠点において、最先端の1αノードを採用したDDR4メモリの生産を開始したと発表した。これにより、マナサスにおけるDDR4ウェハ供給量が4倍となり、2026年末までには認定済み品の生産が行なわれる見込み。
DDR4メモリ
米Micronは5月22日(現地時間)、米国バージニア州マナサスのDRAM製造拠点において、最先端の1αノードを採用したDDR4メモリの生産を開始したと発表しました。この生産開始により、マナサス工場におけるDDR4ウェハ供給量は4倍に増加する見込みです。認定済み品の生産は2026年末までに行われる予定であり、DDR4メモリ市場への供給体制が強化されます。
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Micronが最先端の1αノードを採用したDDR4メモリの生産を開始。生産拠点は米国バージニア州マナサスのDRAM製造拠点。マナサス工場におけるDDR4ウェハ供給量が4倍に増加する見込み。認定済み品の生産は2026年末までに行われる予定。